Vishay SiHD2N80AE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 188-4982
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-38-847
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD2N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.8.38
Begrenzter Lagerbestand
- 1'400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.838 | CHF.8.41 |
| 100 - 240 | CHF.0.758 | CHF.7.59 |
| 250 - 490 | CHF.0.717 | CHF.7.15 |
| 500 - 990 | CHF.0.545 | CHF.5.47 |
| 1000 + | CHF.0.505 | CHF.5.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4982
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-38-847
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD2N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SiHD2N80AE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SiHD2N80AE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Ciss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Verwandte Links
- Vishay SiHD2N80AE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SiHU5N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay SiHU4N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252