Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 188-4982
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-38-847
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD2N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-38-847
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD2N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.25mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.25mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 2,9 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHD2N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor für den Einsatz in industriellen und elektronischen Systemen, in denen eine robuste Spannungsverarbeitung und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Es arbeitet als N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist, und eignet sich für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in Automatisierungs- und elektrischen Geräten.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 800 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge in kompakten Designs • 2,9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 7 nC typische Gate-Ladung für effizientes Gate-Drive-Energiemanagement • 2,9 Ω Rds(on) begrenzt Leitungsverluste bei leichten bis moderaten Lasten • Die Verlustleistung von 62,5 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für Anwendungen mit erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsschienen-Schaltvorgänge in industriellen Wandlern • Ideal für den Einsatz in Leistungsstufen in Motorantrieben mit moderaten Strömen • Wird für die Schaltung auf der Netzseite in Netzteilen und Wechselrichtern verwendet • Kann zur Unterdrückung von Überspannungen und für Snubberkreise in Wechselstromsystemen verwendet werden
Welchen Gate-Spannungsbereich sollte ich für Steuerschaltkreise beachten?
Das Gerät toleriert Gate-Source-Spannungen bis zu 30 V, daher sollten Gate-Treiber spezifiziert werden, um innerhalb dieses Maximums zu bleiben, um eine Verschlechterung des Gates zu verhindern.
Wie wirkt sich die Montage auf die thermische Leistung aus?
Als oberflächenmontiertes TO-252-Gehäuse basiert die Wärmeübertragung auf einer guten Leiterplatten-Kupferfläche und thermischen Leitungen, um die Nennleistung des Geräts abzuleiten
zu wenig Kupfer erhöht die Sperrschichttemperatur.
Welche Gehäuse-Pinanzahl und -Konfiguration werden bereitgestellt?
Die Komponente wird in einer dreipoligen TO-252-Konfiguration geliefert, die für Standard-Oberflächenmontageverfahren geeignet ist.
Wie sollte ich das Vorwärtsleitverhalten in der Konstruktion berücksichtigen?
Die gemeldete Durchlassspannung beträgt 1,2 V
Dies ist bei Verlustberechnungen zu berücksichtigen, wenn die Body-Diode während Umkehr-Wiederherstellungs- oder Synchron-Gleichrichterereignissen leitet.
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