STMicroelectronics SCTH70N 1, Oberfläche MOSFET 1200 V / 90 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 219-4223
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH70N120G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 219-4223
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH70N120G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTH70N | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.21Ω | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTH70N | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.21Ω | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen Sic-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen bemerkenswert niedrigen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.
Sehr hohe Betriebstemperatur am Anschluss (TJ = 175 °C)
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten
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