STMicroelectronics SCTH70N 1, Oberfläche MOSFET 1.2 kV / 90 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 219-4223
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH70N120G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 219-4223
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH70N120G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | SCTH70N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 1.2 kV | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 90 A | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.21 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie SCTH70N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 1.2 kV | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 90 A | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.21 Ω | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances
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