Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4663
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S215ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4663
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S215ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
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