Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin IPSA70R1K4P7SAKMA1 TO-251

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Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

22.7W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.38 mm

Höhe

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Integrierte ESD-Schutzdiode

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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