Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 76 W, 10-Pin IPDD60R190G7XTMA1 TO-252

RS Best.-Nr.:: 222-4904
Herst. Teile-Nr.:: IPDD60R190G7XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 76 W, 10-Pin IPDD60R190G7XTMA1 TO-252

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RS Best.-Nr.:: 222-4904
Herst. Teile-Nr.:: IPDD60R190G7XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	IPD50R
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	10
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	190mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	18nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	76W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	2.35 mm
	Höhe	21.11mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.6mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie IPD50R
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 10
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 76W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 2.35 mm
	Höhe 21.11mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.6mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPDD60R190G7XTMA1

Die Infineon Technologien führen das Double DPAK (DDPAK) ein, das erste SMD-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite, das sich für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation eignet. Die Vorteile des bereits vorhandenen 600-V-CoolMOS-G7-Superjunction-(SJ)-MOSFET mit dem innovativen Konzept der Kühlung auf der Oberseite sind eine Systemlösung für Starkstrom-Hartschaltsopologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.

Ermöglicht höchste Energieeffizienz

Die thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte

Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit

Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte

Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards

Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 76 W, 10-Pin IPDD60R190G7XTMA1 TO-252

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