Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 189 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 222-4912
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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| 2 - 18 | CHF.3.78 | CHF.7.56 |
| 20 - 48 | CHF.3.36 | CHF.6.72 |
| 50 - 98 | CHF.3.14 | CHF.6.28 |
| 100 - 198 | CHF.2.919 | CHF.5.84 |
| 200 + | CHF.2.709 | CHF.5.43 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4912
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Serie | IPL60R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 189W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Serie IPL60R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 189W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600V CoolMOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS7-Serie kompletzt. CoolMOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss
Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
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