Teile-Nr.

Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 189 W, 5-Pin IPL60R075CFD7AUMA1 ThinPAK

RS Best.-Nr.:: 222-4912
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R075CFD7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 189 W, 5-Pin IPL60R075CFD7AUMA1 ThinPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 222-4912
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R075CFD7AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	33A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	IPL60R
	Gehäusegröße	ThinPAK
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	75mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	189W
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	67nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	8.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	8.1 mm
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie IPL60R
	Gehäusegröße ThinPAK
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 189W
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 8.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 8.1 mm
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPL60R075CFD7AUMA1

Der Infineon 600V CoolMOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS7-Serie kompletzt. CoolMOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss

Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen

Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 189 W, 5-Pin IPL60R075CFD7AUMA1 ThinPAK

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