Infineon IPP60R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 390 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4924
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R022S7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | CHF.10.18 |
| 10 - 24 | CHF.9.67 |
| 25 - 49 | CHF.9.26 |
| 50 - 99 | CHF.8.85 |
| 100 + | CHF.8.24 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4924
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R022S7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPP60R | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPP60R | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.57 mm | ||
Höhe 9.45mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon S7-Superjunction-MOSFET (IPP60R022S7) in TO-220 wurde für geringe Leitungsverluste optimiert und bietet den besten RDS(on) x-Preis für Anwendungen mit niedriger Schaltfrequenz, wie z. B. aktive Brückengleichrichter, Wechselrichterstufen, Einschaltstromrelais, SPS, HV-DC-Leitungen, Leistungsrelais und Halbleiterschutzschalter. Der 600-V-CoolMOS-S7-SJ-MOSFET erreicht eine höhere Energieeffizienz und reduziert die BOM-Kosten.
Minimierung von Leitungsverlusten
Steigerung der Energieeffizienz
Kompaktere und einfachere Designs
Eliminieren oder Reduzieren von Kühlkörpern in Halbleiterbauweise
Geringere Gesamtkosten (TCO) oder Stücklistenkosten (BOM)
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