Infineon IPDQ60R010S7A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.23.888

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 41 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1CHF.23.89
2 - 4CHF.22.69
5 - 9CHF.21.74
10 - 24CHF.20.78
25 +CHF.19.35

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
225-0578
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60R010S7AXTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IPDQ60R010S7A

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

694W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

318nC

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.1mm

Höhe

21.06mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon IPDQ60R010S7A ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter gemäß dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde. Das mosfet kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation, die niedrigen RDS (ein) im QDPAK-Gehäuse ermöglicht. Die S7A-Serie ist für das Schalten mit niedriger Frequenz und hohen Strom optimiert. Anwendung wie Überlastschalter.

Minimiert Leitungsverluste

Erhöht die Energieeffizienz

Kompaktere und einfachere Designs

Niedrigere TCO- oder Stücklistenkosten

Verwandte Links