Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

RS Best.-Nr.:: 225-0579
Herst. Teile-Nr.:: IPDQ60R010S7XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 225-0579
Herst. Teile-Nr.:: IPDQ60R010S7XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	IPDQ60R010S7
	Gehäusegröße	HDSOP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	22
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	318nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	694W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	0.82V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	2.35 mm
	Länge	15.1mm
	Höhe	21.06mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie IPDQ60R010S7
	Gehäusegröße HDSOP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 22
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 694W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 0.82V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 2.35 mm
	Länge 15.1mm
	Höhe 21.06mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet-IPDQ60R010S7XTMA1

Der Infineon IPDQ60R010S7 ist der N-Kanal-Leistungs-MOSFET und ermöglicht die beste Leistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der MOSFET ist für statische Schaltanwendungen und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais- und Schutzschalterausführungen sowie für die Liner Rektifikation in SMPS- und Wechselrichtertopologien.

Minimiert Leitungsverluste

Erhöht die Energieeffizienz

Kompaktere und einfachere Designs

Beseitigt oder reduziert Kühlkörper in Halbleiterbauweise

Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

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