Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 225-0580
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R010S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.24.24
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.24.24 |
| 2 - 4 | CHF.23.03 |
| 5 - 9 | CHF.22.06 |
| 10 - 24 | CHF.21.10 |
| 25 + | CHF.19.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0580
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60R010S7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPDQ60R010S7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 318nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.1mm | |
| Höhe | 21.06mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPDQ60R010S7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.1mm | ||
Höhe 21.06mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPDQ60R010S7 ist der N-Kanal-Leistungs-MOSFET und ermöglicht die beste Leistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der MOSFET ist für statische Schaltanwendungen und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais- und Schutzschalterausführungen sowie für die Liner Rektifikation in SMPS- und Wechselrichtertopologien.
Minimiert Leitungsverluste
Erhöht die Energieeffizienz
Kompaktere und einfachere Designs
Beseitigt oder reduziert Kühlkörper in Halbleiterbauweise
Verwandte Links
- Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP
- Infineon IPDQ60R010S7A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP
- Infineon IPQC60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- Infineon IPDQ60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- Infineon 600V CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 375 A 416 W HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 207 A 272 W HDSOP
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 126 A 195 W HDSOP