onsemi NTMF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 120 V / 79 A 102 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 229-6467
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS008N12MCT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.87
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.374 | CHF.11.87 |
| 50 - 95 | CHF.2.05 | CHF.10.23 |
| 100 - 495 | CHF.1.778 | CHF.8.87 |
| 500 - 995 | CHF.1.555 | CHF.7.80 |
| 1000 + | CHF.1.414 | CHF.7.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-6467
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS008N12MCT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 79A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | NTMF | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 102W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie NTMF | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 102W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das on Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Flachkabel-Gehäuse wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und umfasst eine hohe Wärmeleistung. Es wird mit Schaltnetzteilen, Netzschaltern, Batterie- und Schutzfunktionen verwendet.
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
RoHS-konform
Verwandte Links
- onsemi NTMF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 120 V / 79 A 102 W, 8-Pin SO-8
- onsemi NTMFS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 164 A 104 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 54 A 79 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 41.9 A 80.6 W, 8-Pin SO-8
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 237 A 128 W, 8-Pin SO-8
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 78 A 33 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 276 A 167 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 201 A 164 W, 8-Pin SO-8FL