Infineon ISZ080N10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4882
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.3'415.00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.0.683 | CHF.3'433.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4882
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISZ080N10 | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.04mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISZ080N10 | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.04mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Geringere und weichere Rückgewinnungsladung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Hohe Lawinenenergie
RoHS-konform
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Umweltfreundlich
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