Infineon ISZ080N10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4883
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.495
Auf Lager
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 02. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.899 | CHF.9.51 |
| 50 - 120 | CHF.1.677 | CHF.8.37 |
| 125 - 245 | CHF.1.576 | CHF.7.90 |
| 250 - 495 | CHF.1.465 | CHF.7.32 |
| 500 + | CHF.1.353 | CHF.6.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4883
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | ISZ080N10 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.04mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie ISZ080N10 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.04mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Geringere und weichere Rückgewinnungsladung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Hohe Lawinenenergie
RoHS-konform
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Umweltfreundlich
Verwandte Links
- Infineon ISZ080N10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 160 A TSDSON
- Infineon ISZ230N10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal MOSFET N 30 V / 61 A, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ097N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 100 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON-8 FL