Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 40 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 252-0263
Herst. Teile-Nr.:: SIHK055N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 40 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

CHF.7'130.00

Auf Lager

2'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 +	CHF.3.565	CHF.7'136.66

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 252-0263
Herst. Teile-Nr.:: SIHK055N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	EF
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.05mΩ
	Channel-Modus	Entleerung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	236W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	90nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	6.15mm
	Breite	5.15mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie EF
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.05mΩ
	Channel-Modus Entleerung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 236W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 6.15mm
	Breite 5.15mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60EF-T1GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK055N60EF-T1GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Automobilanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für den Einsatz auf Oberflächenmontage vorgesehen, wo robuste Schaltvorgänge, hohe Spannungstoleranz und Kfz-Qualifizierung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 40 A Dauerstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,05 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs • Die Verlustleistung von 236 W ermöglicht einen hohen thermischen Durchsatz • 90 nC typische Gate-Ladung reduziert die Schaltenergie pro Übergang • Die AEC-Q101-Qualifizierung erfüllt die Anforderungen an Stress und Zuverlässigkeit in der Automobilindustrie

Anwendungen

• Geeignet für Traktionsumrichterstufen in der Automobilelektronik • Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in der industriellen Automatisierung • Wird für Schaltnetzteile in Stromverteilungssystemen verwendet • Kann für Motorantriebsstufen verwendet werden, die eine hohe Stromkapazität erfordern • Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?

Antriebsstromkreise sollten eine Gate-Exkursion von bis zu ±20 V aufnehmen und genügend Spitzenstrom liefern, um das 90-nC-Gate mit den gewählten Vgs für die definierte Schaltgeschwindigkeit aufzuladen und gleichzeitig Schaltverluste zu bewältigen.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf den Dauerbetrieb aus?

Um die Verlustleistung von 236 W aufrechtzuerhalten, sind thermische Wege wie große Kupferwaagen oder Kühlkörper zum PowerPAK-Substrat erforderlich, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der angegebenen Grenze von +150 °C zu halten.

Welche Montage- und Layout-Praktiken verbessern die Leistung?

Verwenden Sie oberflächenmontierbare Layouts mit niedriger Induktivität mit kurzen, breiten Schienen für Drain und Source und platzieren Sie Gate-Widerstände und Entkopplung in der Nähe der Pins, um Klingeln und elektromagnetische Störungen zu reduzieren.

Welcher Umgebungsbereich kann für den Einsatz vor Ort erwartet werden?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C spezifiziert und unterstützt einen breiten Bereich von Umgebungs- und erhöhten Sperrschichtbedingungen in Industrie- und Automobilumgebungen.