Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 33 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0265
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
CHF.6'182.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | CHF.3.091 | CHF.6'185.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0265
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.061Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.061Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 33 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK075N60EF-T1GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schaltgerät, das für anspruchsvolle Umgebungen in der Leistungselektronik und im Automobilbereich entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Transistor mit Depletion-Modus, der für Hochspannungsanwendungen geeignet ist und ein Gleichgewicht zwischen Strombelastbarkeit und thermischer Beständigkeit für industrielle Steuerungs- und Fahrzeugelektroniksysteme bietet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 33 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • Niedrige Rds(on) von 0,061 Ω reduziert Leitungsverluste • Die Verlustleistung von 192 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme • Die typische Gate-Ladung von 72 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Größe • Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht robuste Antriebsbereiche
Anwendungen
• Geeignet für Wechselrichter- und Motorantriebsstufen in Automatisierungssystemen • Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in elektrifizierten Fahrzeugen • Wird für Primärschalter in Stromversorgungen für industrielle Geräte verwendet • Kann für Traktions- und Hilfselektronik verwendet werden
Welchem Temperaturbereich hält es im Betrieb stand?
Es ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz unter weiten Umgebungs- und Temperaturbedingungen, wie sie in Automobil- und Industrieanlagen typisch sind.
Welchen Gehäusetyp sollten Entwickler auf der Platine berücksichtigen?
Das Gerät wird in einem 8-poligen PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, daher sollten Thermopad-Layout und Lötprofile für dieses Gehäuse angewendet werden.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen für eine zuverlässige Schaltung beachtet werden?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V
Die Gate-Treiber sollten so konzipiert sein, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben und gleichzeitig genügend Slew bieten, um die Gate-Ladung von 72 nC zu verwalten.
Gibt es für dieses Gerät Zulassungen oder Umweltstandards?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen und entspricht der Automobilnorm AEC-Q101 für die Komponentenqualifizierung.
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Entleerung 650 V / 33 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Entleerung 650 V / 40 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 26 A 174 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SiH N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12