Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 295 A 231 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 257-5560
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7437TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 295 A 231 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-5560
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7437TRL7PP
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	295A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.1mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	231W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.83mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	10.54mm
	Breite	9.65 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 295A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 231W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.83mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 10.54mm
	Breite 9.65 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFS7437TRL7PP

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Industriestandardgehäuse für die Oberflächenmontage

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 295 A 231 W, 7-Pin TO-263

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