Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 295 A 231 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-5560
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7437TRL7PP
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF 743.20
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 14. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | CHF 0.929 | CHF 745.78 |
| 1600 + | CHF 0.889 | CHF 710.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5560
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7437TRL7PP
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 295A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 231W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 295A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 231W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Industriestandardgehäuse für die Oberflächenmontage
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 295 A 231 W, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V 380 W, 7-Pin TO-263-7
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 24 A 144 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 195 A 375 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263
