Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 295 A 231 W, 7-Pin IRFS7437TRL7PP TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRFS7437TRL7PP
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

295A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

231W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.54mm

Breite

9.65 mm

Distrelec Product Id

304-40-544

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Industriestandardgehäuse für die Oberflächenmontage

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