Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -12 A 2.5 W SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
257-9335
Herst. Teile-Nr.:
IRF9388TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.9mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein robustes IRFET-Leistungs-Mosfet mit -30-V-P-Kanal in einem SO 8-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Verwandte Links