Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -80 A 88 W, 3-Pin IPD80P03P4L07ATMA2 PG-TO-252

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IPD80P03P4L07ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

IPD

Gehäusegröße

PG-TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gate-Source-spannung max Vgs

-0.31 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Keine Ladungspumpe erforderlich für High-Side-Antrieb

Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis

Höchste Strombelastbarkeit

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