Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
268-8290
Herst. Teile-Nr.:
SIHB080N60E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SIHB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.08Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay-Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode und Technologie der Serie E der 4. Generation reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Server-Netzteilen und Leistungsfaktorkorrektur-Netzteilen eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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