Infineon ISA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 248 A 2.5 W, 5-Pin sTOLL
- RS Best.-Nr.:
- 273-2822
- Herst. Teile-Nr.:
- IST026N10NM5AUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.4.074 | CHF.8.14 |
| 50 - 98 | CHF.3.686 | CHF.7.37 |
| 100 - 248 | CHF.3.381 | CHF.6.77 |
| 250 - 998 | CHF.3.129 | CHF.6.26 |
| 1000 + | CHF.2.898 | CHF.5.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2822
- Herst. Teile-Nr.:
- IST026N10NM5AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 248A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISA | |
| Gehäusegröße | sTOLL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 89nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 7.2mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 6.9 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 248A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISA | ||
Gehäusegröße sTOLL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 89nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 7.2mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 6.9 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET und für Niederspannungs-Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen qualifiziert.
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung
Zu 100 % gegen Lawinendurchbruch getestet
Ermöglicht automatische optische Lötprüfung
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