Infineon IPB057N06N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin PG-TO263-3

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.636.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 07. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +CHF.0.636CHF.634.28

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-2997
Herst. Teile-Nr.:
IPB057N06NATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPB057N06N

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-5°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC 1, IEC61249-2-21

Länge

40mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon ist für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten optimiert. Darüber hinaus sind diese Geräte eine perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Reduzierung der Systemkosten

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.