Infineon IPB057N06N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-2998
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB057N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.838 | CHF.9.21 |
| 50 - 95 | CHF.1.707 | CHF.8.55 |
| 100 - 245 | CHF.1.505 | CHF.7.54 |
| 250 - 495 | CHF.1.454 | CHF.7.27 |
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2998
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB057N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Serie | IPB057N06N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Betriebstemperatur min. | -5°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 40mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Serie IPB057N06N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Betriebstemperatur min. -5°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 40mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon ist für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten optimiert. Darüber hinaus sind diese Geräte eine perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelen erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Reduzierung der Systemkosten
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