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IGBT

IGBTs, oder auch als IGBT-Transistoren (bipolare Transistoren mit isoliertem Gate) bekannt, sind Halbleiter, die hauptsächlich als Schalteinheiten verwendet werden, um den Stromfluss zu ermöglichen oder zu stoppen. Sie haben viele Vorteile, unter anderem hohe Spannungskapazität, einfache Ansteuerung, niedriger Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit. Sie bilden eine Mischung zwischen zwei der gängigsten Transistoren, Bipolartransistoren und MOSFET.

Wie funktionieren IGBT-Transistoren?

IGBT-Transistoren sind Drei-End-Einheiten, die eine Spannung an einen Halbleiter anlegen und seine Eigenschaften ändern, um den Leistungsfluss im ausgeschalteten Zustand zu blockieren und den Leistungsfluss im eingeschalteten Zustand zu ermöglichen. Sie werden durch eine Metalloxid-Halbleiter-Gate-Struktur gesteuert. IGBT-Transistoren werden häufig zum Schalten von elektrischer Energie in Anwendungen wie Schweißen, Elektroautos, Klimaanlagen, Züge und unterbrechungsfreie Stromversorgungen eingesetzt.

Welche verschiedenen Arten von IGBT-Transistoren gibt es?

Es gibt verschiedene Arten von IGBT-Transistoren, die nach Parametern wie maximale Spannung, Kollektorstrom, Gehäuseart und Schaltgeschwindigkeit kategorisiert sind. Der Typ des ausgewählten IGBT-Transistors ist abhängig von der genauen Leistungsstufe und den zu berücksichtigenden Anwendungen.

Was ist der Unterschied zwischen MOSFETs vs IGBTs?

Ein IGBT hat einen deutlich niedrigeren Durchlassspannungsabfall im Vergleich mit einem konventionellen MOSFET in Einheiten mit höherer Sperrspannung. MOSFETs zeichnen sich jedoch durch eine geringere Durchlassspannung bei niedrigeren Stromdichten aus, da die Diode VF (Forward Voltage) im Ausgang BJT des IGBT fehlt.

Ein IGBT-Modul (isolierter Bipolartransistor mit isoliertem Gate) besteht aus einem oder mehreren IGBTs und wird aufgrund seiner Zuverlässigkeit in vielen Industrieanlagen eingesetzt. IGBT-Transistoren sind eine Mischung zwischen Bipolartransistoren (BJTs) und MOSFET. Sie sind höchst effizient und schnell und verfügen über eine hohe Strom- und niedrige Sättigungsspannung.

Was sind typische Anwendungen von IGBTs?

Elektromotoren
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Solarmodul-Installationen
Schweißgeräte
Spannungswandler und Invertoren
Induktionsladegeräte
Induktionsherde

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Infineon IGBT / 20 A ±20V max. , 650 V 125 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal RS Best.-Nr.: 273-2956 Herst. Teile-Nr.: IGB20N65S5ATMA1 Datenblätter: CHF.1.008 Stück (Auf einer Rolle von 1000)	Infineon	20 A	-	-	±20 V, ±30V	1	125 W	TO-263	-	THT	N	3	-	-	-
Infineon IGBT / 150 A 20V max., 1200 V 20 mW RS Best.-Nr.: 253-9844 Herst. Teile-Nr.: FS150R12N2T7B15BPSA1 Datenblätter: CHF.125.034 Stück (In einem Tray von 15)	Infineon	150 A	-	-	20V	-	20 mW	-	-	-	-	-	-	-	-
onsemi IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 714 W, 3-Pin TO247-3LD N-Kanal RS Best.-Nr.: 284-9003P Herst. Teile-Nr.: FGY75T120SWD Datenblätter: CHF.9.23 Stück (in Stange(n))	onsemi	150 A	-	-	±20V	-	714 W	TO247-3LD	Single	THT	N	3	-	-	-
Infineon IGBT / 100 A ±20V max. , 1200 V 361 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal RS Best.-Nr.: 273-2973 Herst. Teile-Nr.: IKQ100N120CH7XKSA1 Datenblätter: CHF.10.574 Stück (In einer Stange von 30)	Infineon	100 A	-	-	±20V	1	361 W	TO-247	Common Emitter	THT	N	3	-	-	-
Infineon IGBT / 20 A 25V max., 1200 V 288 W PG-TO247-3 RS Best.-Nr.: 244-2914P Herst. Teile-Nr.: IHW20N120R5XKSA1 Datenblätter: CHF.2.615 Stück (in Stange(n))	Infineon	20 A	-	-	25V	-	288 W	PG-TO247-3	-	-	-	-	-	-	-
ROHM IGBT / 70 A ±30V max. , 650 V 234 W To-247GE RS Best.-Nr.: 241-2296 Herst. Teile-Nr.: RGTH80TS65GC13 Datenblätter: CHF.2.468 Stück (In einer Stange von 600)	ROHM	70 A	-	-	±30V	1	234 W	To-247GE	Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate	-	-	-	-	-	-
Infineon IGBT ±20V max., 650 V PG-TO247-3 RS Best.-Nr.: 258-1016 Herst. Teile-Nr.: IKW40N65ET7XKSA1 Datenblätter: CHF.4.41 Stück	Infineon	-	-	-	±20V	-	-	PG-TO247-3	-	-	-	-	-	-	-
Semikron Danfoss IGBT-Modul / 618 A ±20V max., 1200 V, 5-Pin SEMITRANS3 N-Kanal RS Best.-Nr.: 687-4989 Herst. Teile-Nr.: SKM400GAL12E4 Datenblätter: CHF.246.761 Stück	Semikron Danfoss	618 A	-	-	±20V	-	-	SEMITRANS3	Single	Tafelmontage	N	5	-	Einfach	106.4 x 61.4 x 30.5mm
Infineon IGBT / 35 A ±20V max., 1200 V AG-EASY1B-711 RS Best.-Nr.: 258-0891 Herst. Teile-Nr.: FS35R12W1T7BOMA1 Datenblätter: CHF.34.062 Stück (In einem Tray von 24)	Infineon	35 A	-	-	±20V	-	-	AG-EASY1B-711	-	-	-	-	-	-	-
ROHM IGBT / 75 A ±30V max. , 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal RS Best.-Nr.: 235-2733 Herst. Teile-Nr.: RGSX5TS65HRC11 Datenblätter: CHF.9.272 Stück	ROHM	75 A	-	-	±30V	1	404 W	TO-247N	Single	THT	N	3	-	Single & Common Emitter	-
onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal RS Best.-Nr.: 166-2181 Herst. Teile-Nr.: FGA60N65SMD Datenblätter: CHF.4.389 Stück (In einer Stange von 30)	onsemi	120 A	-	-	±20V	-	600 W	TO-3PN	-	THT	N	3	-	Einfach	15.8 x 5 x 20.1mm
Infineon IGBT / 150 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 43-Pin Modul N-Kanal RS Best.-Nr.: 232-6703 Herst. Teile-Nr.: FP150R12N3T7BPSA1 Datenblätter: CHF.124.383 Stück	Infineon	150 A	-	-	±20V	7	20 mW	Modul	3-phasig	Chassismontage	N	43	-	3-phasig	-
Infineon IGBT / 200 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 46-Pin Modul N-Kanal RS Best.-Nr.: 232-6705 Herst. Teile-Nr.: FP200R12N3T7BPSA1 Datenblätter: CHF.133.308 Stück	Infineon	200 A	-	-	±20V	7	20 mW	Modul	3-phasig	Chassismontage	N	46	-	3-phasig	-
Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin Modul N-Kanal RS Best.-Nr.: 232-6718 Herst. Teile-Nr.: FP75R12N2T7BPSA1 Datenblätter: CHF.110.471 Stück (In einem Tray von 10)	Infineon	75 A	-	-	±20V	7	20 mW	Modul	3-phasig	Chassismontage	N	31	-	3-phasig	-
Infineon IGBT / 80 A +/-20V max. , 600 V 306 W, 3-Pin PG-TO247-3 RS Best.-Nr.: 273-7436 Herst. Teile-Nr.: IGW40N60H3FKSA1 Datenblätter: CHF.2.835 Stück (In einer Stange von 30)	Infineon	80 A	-	-	+/-20V	1	306 W	PG-TO247-3	-	THT	-	3	-	-	-
STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 283 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal RS Best.-Nr.: 792-5791 Herst. Teile-Nr.: STGW40H60DLFB Datenblätter: CHF.4.526 Stück (In einer VPE à 2)	STMicroelectronics	80 A	-	-	±20V	-	283 W	TO-247	-	THT	N	3	-	Einfach	15.75 x 5.15 x 20.15mm
onsemi IGBT / 21 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal RS Best.-Nr.: 807-8758 Herst. Teile-Nr.: ISL9V3040D3ST Datenblätter: CHF.1.827 Stück (In einer VPE à 5)	onsemi	21 A	-	-	±10V	-	150 W	DPAK (TO-252)	-	SMD	N	3	1MHz	Einfach	6.73 x 6.22 x 2.39mm
Infineon IGBT ±20V max., 1200 V 355 W AG-ECONO2B-311 RS Best.-Nr.: 258-0901 Herst. Teile-Nr.: FS75R12KT3BPSA1 Datenblätter: CHF.142.37 Stück	Infineon	-	-	-	±20V	-	355 W	AG-ECONO2B-311	-	-	-	-	-	-	-
Infineon IGBT-Modul / 20 A +/-20V max., 1200 V 105 W Modul RS Best.-Nr.: 273-7394 Herst. Teile-Nr.: FP10R12W1T4B3BOMA1 Datenblätter: CHF.33.989 Stück (In einem Tray von 24)	Infineon	20 A	-	-	+/-20V	-	105 W	Modul	-	Tafelmontage	-	-	-	-	-
Vishay IGBT / 372 A ± 20V max. Dual, 650 V 789 W, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal RS Best.-Nr.: 276-6404 Herst. Teile-Nr.: VS-GT150TS065S Datenblätter: CHF.88.925 Stück (In einer Box à 15)	Vishay	372 A	-	-	± 20V	2	789 W	INT-A-PAK	Halbbrücke	Tafelmontage	N	7	-	-	-