STMicroelectronics SCT060HU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 30 A, 7-Pin SCT060HU75G3AG HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 152-109
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT060HU75G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 600 Stück)*
CHF.8’038.80
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 600 + | CHF.13.398 | CHF.8’038.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-109
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT060HU75G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | SCT060HU | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±18 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 14.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Breite | 19 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie SCT060HU | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±18 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 14.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 3.6mm | ||
Breite 19 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz
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