Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 262-6749
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHM9331TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 262-6749
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHM9331TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon hat einen niedrigen Wärmewiderstand auf der Leiterplatte, der eine bessere Wärmeableitung ermöglicht, und er ist kompatibel mit vorhandenen SMD-Techniken.
RoHS-konform, bleifrei
Erhöhte Zuverlässigkeit
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