Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4915
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5210PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
CHF 77.75
- Versand ab 21. Dezember 2026
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.555 | CHF 77.57 |
| 100 - 200 | CHF 1.323 | CHF 65.95 |
| 250 + | CHF 1.162 | CHF 58.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4915
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5210PBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.54mm | |
| Breite | 4.69mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.54mm | ||
Breite 4.69mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 40A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF5210PBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Bauteil?
Wie wirkt sich der niedrige Durchlasswiderstand auf die Leistung der Schaltung aus?
Eignet sich dies für Anwendungen in Automobilsystemen?
In welche Art von Schaltungskonfigurationen kann es integriert werden?
Wie sollte es installiert werden, um eine optimale Leistung zu gewährleisten?
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