onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 267 W, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263) P-Kanal

Eine Serie von Feldstopp-Trench-IGBTs von Fairchild Semiconductor, die einem Belastungstest unterzogen wurden und die Norm AEC-Q101 erfüllen.

• Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
• Hohe Strombelastbarkeit
• Niedrige Sättigungsspannung
• Hohe Eingangsimpedanz
• Engere Parameterverteilung

864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600 V 20 A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600 V 40 A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600 V 60 A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650 V 40 A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650 V 40 A TO263 (Packung mit 800 Stück)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650 V 75 A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650 V 75 A TO247 (Packung mit 30 Stück)

Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +100°C.

AEC-Q101

IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.