Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon 800V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A 101 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 214-4420
  • Herst. Teile-Nr. IPP80R280P7XKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.17.24
CHF.3.448/Stück
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Infineon 800V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 7 W, 3-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 214-4401
  • Herst. Teile-Nr. IPN80R1K4P7ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.1'038.00
CHF.0.346/Stück
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Nexperia PH8230E N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 67 A 62.5 W, 5-Pin LFPAK
  • RS Best.-Nr. 166-1571
  • Herst. Teile-Nr. PH8230E,115
Zwischensumme (1 Rolle mit 1500 Stück)
CHF.1'260.00
CHF.0.84/Stück
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Infineon Isoliert OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP
  • RS Best.-Nr. 166-1086
  • Herst. Teile-Nr. BSL215CH6327XTSA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.522.00
CHF.0.174/Stück
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onsemi SuperFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 7 A 83 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 166-2080
  • Herst. Teile-Nr. FCD7N60TM
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
CHF.2'875.00
CHF.1.15/Stück
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Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 214-4384
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R180P7ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.10.18
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Infineon 500V CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 2.2 A 33 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 214-4378
  • Herst. Teile-Nr. IPD50R2K0CEAUMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
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Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 214-4388
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Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)
CHF.9.795
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Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 214-4391
  • Herst. Teile-Nr. IPD70R360P7SAUMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
CHF.902.50
CHF.0.361/Stück
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Nexperia BST82 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1262
  • Herst. Teile-Nr. BST82,215
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.267.00
CHF.0.089/Stück
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onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 7.5 A 19 W, 8-Pin WDFN
  • RS Best.-Nr. 166-1665
  • Herst. Teile-Nr. FDMC86116LZ
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 214-4407
  • Herst. Teile-Nr. IPP051N15N5AKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.8.28
CHF.4.14/Stück
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Infineon 800V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A 101 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 214-4419
  • Herst. Teile-Nr. IPP80R280P7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.95.20
CHF.1.904/Stück
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1717
  • Herst. Teile-Nr. FDN304PZ
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.537.00
CHF.0.179/Stück
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Infineon OptiMOS FD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 84 A 300 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 166-0877
  • Herst. Teile-Nr. IPB117N20NFDATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
CHF.2'687.00
CHF.2.687/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi FDN357N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.9 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1718
  • Herst. Teile-Nr. FDN357N
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.474.00
CHF.0.158/Stück
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onsemi UniFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 44 A 307 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 166-1674
  • Herst. Teile-Nr. FDB44N25TM
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
CHF.968.00
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6.7 A 52 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 166-2398
  • Herst. Teile-Nr. FDD306P
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
CHF.967.50
CHF.0.387/Stück
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onsemi NDS332 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1811
  • Herst. Teile-Nr. NDS332P
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.378.00
CHF.0.126/Stück
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Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3.9 A 63 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 214-4396
  • Herst. Teile-Nr. IPD80R1K4CEATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)
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