Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 826-8829
  • Herst. Teile-Nr. IRF7105TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.12.44
CHF.0.622/Stück
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DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.1 A 1.5 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 827-0493
  • Herst. Teile-Nr. DMN6070SSD-13
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.9.44
CHF.0.472/Stück
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Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SC-70
  • RS Best.-Nr. 826-9945
  • Herst. Teile-Nr. BSS84PWH6327XTSA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)
CHF.47.00
CHF.0.094/Stück
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Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 50 W, 8-Pin TSDSON
  • RS Best.-Nr. 827-5249
  • Herst. Teile-Nr. BSZ050N03LSGATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
CHF.9.30
CHF.0.372/Stück
Nur noch Restbestände
Vishay SQ Rugged N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 6.8 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 819-3923
  • Herst. Teile-Nr. SQ4850EY-T1_GE3
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.7.26
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DiodesZetex N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 600 mA 700 mW, 3-Pin TO-92
  • RS Best.-Nr. 823-1827
  • Herst. Teile-Nr. ZVN4206AVSTZ
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.12.52
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Infineon Isoliert HEXFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4 A 1.4 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 826-8866
  • Herst. Teile-Nr. IRF7309TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
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DiodesZetex ZVN4525Z N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 240 mA 1.2 W, 3-Pin SOT-89
  • RS Best.-Nr. 823-1839
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Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 825-9235
  • Herst. Teile-Nr. IPB027N10N3GATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF.12.44
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DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.3 A 2.4 W, 8-Pin PowerDI3333
  • RS Best.-Nr. 827-0529
  • Herst. Teile-Nr. DMN10H120SFG-13
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Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 826-9178
  • Herst. Teile-Nr. IPB054N08N3GATMA1
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Infineon Isoliert OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin SC-88
  • RS Best.-Nr. 827-0002
  • Herst. Teile-Nr. 2N7002DWH6327XTSA1
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Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 69 W, 8-Pin TDSON
  • RS Best.-Nr. 825-9121
  • Herst. Teile-Nr. BSC067N06LS3GATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
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Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 826-9092
  • Herst. Teile-Nr. IPB120P04P4L03ATMA1
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CHF.9.24
CHF.0.924/Stück
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DiodesZetex DMP3056LSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6 A 2.5 W, 8-Pin SOP
  • RS Best.-Nr. 823-4037
  • Herst. Teile-Nr. DMP3056LSS-13
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
CHF.12.30
CHF.0.492/Stück
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Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 11.3 A 128 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 823-5560
  • Herst. Teile-Nr. SPP15P10PLHXKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.16.13
CHF.3.226/Stück
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Infineon Isoliert HEXFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.9 A 2 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 826-8841
  • Herst. Teile-Nr. IRF7303TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.10.30
CHF.0.515/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 825-9168
  • Herst. Teile-Nr. IPD034N06N3GATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.16.27
CHF.1.627/Stück
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 827-0011
  • Herst. Teile-Nr. BSS123NH6327XTSA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)
CHF.45.50
CHF.0.091/Stück
Vorübergehend ausverkauft
DiodesZetex DMG2305UX Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.3 A 1.4 W, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 827-0452
  • Herst. Teile-Nr. DMG2305UX-7
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)
CHF.14.60
CHF.0.146/Stück
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