Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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onsemi MMBF170L N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 545-0321
  • Herst. Teile-Nr. MMBF170LT1G
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.1.62
CHF.0.162/Stück
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Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 0.05 A 200 mW, 3-Pin SMini
  • RS Best.-Nr. 601-1927
  • Herst. Teile-Nr. 2SJ343(F)
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.1.68
CHF.0.168/Stück
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Vishay IRFI730G N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.7 A 35 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 542-9686
  • Herst. Teile-Nr. IRFI730GPBF
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.2.60
CHF.2.60/Stück
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onsemi Gemeinsamer Drain PowerTrench Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 9 A, 5-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 671-0356
  • Herst. Teile-Nr. FDD8424H
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.6.15
CHF.1.23/Stück
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Toshiba 2SK N-Kanal, Oberfläche Feldeffekttransistor Erweiterung 100 V / 10 A 2 W, 3-Pin PW Form
  • RS Best.-Nr. 601-2116
  • Herst. Teile-Nr. 2SK3669(Q)
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.5.80
CHF.1.16/Stück
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Toshiba SSM3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin SSM
  • RS Best.-Nr. 639-5556
  • Herst. Teile-Nr. SSM3K16FS(TE85L,F)
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Vishay IRF9540S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 19 A 150 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 650-4205
  • Herst. Teile-Nr. IRF9540SPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
  • RS Best.-Nr. 543-1083
  • Herst. Teile-Nr. IRF1404PBF
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CHF.2.76
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 671-0450
  • Herst. Teile-Nr. FDN358P
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Vishay IRFPC50 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 180 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 542-9838
  • Herst. Teile-Nr. IRFPC50PBF
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CHF.1.10/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 169 A 330 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 543-1099
  • Herst. Teile-Nr. IRF1405PBF
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Vishay IRF830A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 5 A 74 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
  • RS Best.-Nr. 542-9434
  • Herst. Teile-Nr. IRF830APBF
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DiodesZetex Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 700 mW, 3-Pin E-Leitung
  • RS Best.-Nr. 669-7596
  • Herst. Teile-Nr. ZVP2106A
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
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CHF.0.962/Stück
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Vishay IRL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 17 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 543-0456
  • Herst. Teile-Nr. IRL640SPBF
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.3.00
CHF.3.00/Stück
Nur noch Restbestände
Vishay IRF830A N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 5 A 74 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 650-4110
  • Herst. Teile-Nr. IRF830ASPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.13.26
CHF.2.652/Stück
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DiodesZetex ZXMN3A01F N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 669-7385
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CHF.10.175
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onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 671-0747
  • Herst. Teile-Nr. FDS8949
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
CHF.6.43
CHF.1.286/Stück
Vorübergehend ausverkauft
DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 1.7 W, 6-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 669-7489
  • Herst. Teile-Nr. ZXMP6A17E6TA
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.4.26
CHF.0.426/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Toshiba 2SJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 200 mA 200 mW, 3-Pin SOT-346
  • RS Best.-Nr. 601-1905
  • Herst. Teile-Nr. 2SJ305(F)
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.3.79
CHF.0.379/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK
  • RS Best.-Nr. 543-0591
  • Herst. Teile-Nr. IRLU024NPBF
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.1.60
CHF.1.60/Stück
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