Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 227 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 217-2556
  • Herst. Teile-Nr. IPP60R040C7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.230.90
CHF.4.618/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 217-2535
  • Herst. Teile-Nr. IPD95R450P7ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
CHF.2'445.00
CHF.0.978/Stück
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Infineon CoolMOS N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 8.5 A 82 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 217-2500
  • Herst. Teile-Nr. IPAN70R600P7SXKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.35.45
CHF.0.709/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 217-2532
  • Herst. Teile-Nr. IPD80R2K7C3AATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
CHF.20.72
CHF.1.036/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 48 W, 8-Pin PDFN56
  • RS Best.-Nr. 216-9706
  • Herst. Teile-Nr. TSM250NB06DCR
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
CHF.48.375
CHF.1.935/Stück
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Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6.5 A 6.7 W, 3-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 217-2549
  • Herst. Teile-Nr. IPN70R750P7SATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.954.00
CHF.0.318/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 217-2521
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R1K5CEAUMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)
CHF.27.10
CHF.0.542/Stück
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Infineon CoolMOS N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 129 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 217-2509
  • Herst. Teile-Nr. IPB80N04S2H4ATMA2
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
CHF.1'260.00
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Infineon CoolMOS 7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 64 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 217-2560
  • Herst. Teile-Nr. IPP60R210CFD7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.81.60
CHF.1.632/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A 41 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 217-2529
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R600P7SAUMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
CHF.680.00
CHF.0.272/Stück
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Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 227 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 217-2557
  • Herst. Teile-Nr. IPP60R040C7XKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF.8.26
CHF.8.26/Stück
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Infineon IPP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 137 A 214 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 217-2555
  • Herst. Teile-Nr. IPP045N10N3GXKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.18.30
CHF.1.83/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 217-2628
  • Herst. Teile-Nr. IRFS3207TRLPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
CHF.1'065.60
CHF.1.332/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 217-2536
  • Herst. Teile-Nr. IPD95R450P7ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.18.04
CHF.1.804/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 14.7 A 41 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 217-2525
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R400CEAUMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
CHF.950.00
CHF.0.38/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 42 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 217-2534
  • Herst. Teile-Nr. IPD80R360P7ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
CHF.21.06
CHF.2.106/Stück
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 100 W, 8-Pin SuperSO
  • RS Best.-Nr. 217-2511
  • Herst. Teile-Nr. IPC100N04S51R9ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
CHF.2'285.00
CHF.0.457/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 111 W, 3-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 217-2542
  • Herst. Teile-Nr. IPN60R360P7SATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.927.00
CHF.0.309/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4.5 A 6.8 W, 3-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 217-2552
  • Herst. Teile-Nr. IPN80R1K2P7ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
CHF.1'056.00
CHF.0.352/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 41 A 56 W, 8-Pin PDFN56
  • RS Best.-Nr. 216-9692
  • Herst. Teile-Nr. TSM150NB04CR
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
CHF.24.70
CHF.0.988/Stück
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