Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

55205 Produkte angezeigt für Diskrete Halbleiter

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Infineon FS13MR12W2M1H_C55 N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 62.5 A 20 mW EasyPACK
  • RS Best.-Nr. 348-979
  • Herst. Teile-Nr. FS13MR12W2M1HC55BPSA1
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CHF 166.67
CHF 166.67/Stück
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Nexperia BSH203 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 470 mA 417 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-0610
  • Herst. Teile-Nr. BSH203,215
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Infineon CoolSiC Trench MOSFET N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 150 A 20 mW EasyDUAL
  • RS Best.-Nr. 348-978
  • Herst. Teile-Nr. FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 139.76
CHF 139.76/Stück
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Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 16 A 86 W, 4-Pin PG-TO247-4
  • RS Best.-Nr. 348-947
  • Herst. Teile-Nr. AIMZA75R140M1HXKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF 14.14
CHF 7.07/Stück
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Nexperia BSS87 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 400 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
  • RS Best.-Nr. 166-0486
  • Herst. Teile-Nr. BSS87,115
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
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Nexperia Isoliert Trench MOSFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88
  • RS Best.-Nr. 166-0609
  • Herst. Teile-Nr. PMGD280UN,115
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
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Infineon OptiMOS 7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 220 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8-53
  • RS Best.-Nr. 348-839
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Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 24 A 128 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
  • RS Best.-Nr. 348-935
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Infineon ISZ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 109 A 71 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
  • RS Best.-Nr. 348-903
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Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
  • RS Best.-Nr. 348-907
  • Herst. Teile-Nr. ISA250300C04LMDSXTMA1
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Infineon Trench-IGBT 3 FB50R07W2E3_B23 Typ P-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET Entleerung 20 mW EasyPIM
  • RS Best.-Nr. 348-972
  • Herst. Teile-Nr. FB50R07W2E3B23BOMA1
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Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
  • RS Best.-Nr. 348-906
  • Herst. Teile-Nr. ISA150233C03LMDSXTMA
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CHF 0.557/Stück
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Infineon IPQ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 500 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
  • RS Best.-Nr. 349-004
  • Herst. Teile-Nr. IPQC60T017S7XTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 16.90
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Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 656 A 300 W, 12-Pin PG-TSON-12
  • RS Best.-Nr. 348-840
  • Herst. Teile-Nr. IQFH36N04NM6ATMA1
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CHF 7.69
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Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 7.5 A 88 W, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8
  • RS Best.-Nr. 349-110
  • Herst. Teile-Nr. IMWH170R650M1XKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
CHF 14.54
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Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 165 W, 8-Pin PG-LHSOF-4
  • RS Best.-Nr. 349-060
  • Herst. Teile-Nr. IMTA65R060M2HXTMA1
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CHF 7.04
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Infineon ISZ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 128 A 83 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
  • RS Best.-Nr. 348-902
  • Herst. Teile-Nr. ISZ028N03LF2SATMA1
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CHF 11.00
CHF 1.10/Stück
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Infineon HybridPACK Drive G2 N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 390 A HybridPACK Drive G2
  • RS Best.-Nr. 349-031
  • Herst. Teile-Nr. FS02MR12A8MA2BBPSA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 795.55
CHF 795.55/Stück
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DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5.5 A 2.1 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 166-0484
  • Herst. Teile-Nr. ZXMP3A16DN8TA
Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)
CHF 371.50
CHF 0.743/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 288 A 1249 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
  • RS Best.-Nr. 348-993
  • Herst. Teile-Nr. IPDQ60R007CM8XTMA1
Zwischensumme (1 Stück)
CHF 25.58
CHF 25.58/Stück
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