OSRAM Opto Semiconductors

Optokoppler und Photodetektoren

Kategorie

Optokoppler und Photodetektoren
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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.21
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 1000μA, 2-Pin SMD
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.1000µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.17
    Stück (In einer VPE à 20)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 7μs, 450nm → 1120nm / 80μA, 2-Pin PLCC
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.80µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.36
    Stück (Auf einer Rolle von 1500)
OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR 850nm Si, SMD Smart-DIL-Gehäuse 2-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit850nm
  • GehäusetypSmart-DIL
  • VerstärkerfunktionNein
  • Montage TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • CHF.0.17
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 7μs, 450nm → 1120nm / 80μA, 2-Pin PLCC
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.80µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.5.88Stück
OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR, Sichtbares Licht 900nm Si, THT DIP-Gehäuse 4-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit900nm
  • GehäusetypDIP
  • Montage TypTHT
  • Anzahl der Pins4
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • CHF.0.76Stück
OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit900nm
  • GehäusetypT1.3/4
  • Montage TypTHT
  • Anzahl der Pins2
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • CHF.0.242
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, UV, sichtbares Licht, 350nm → 950nm / 12.5μA, 2-Pin SMD
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht, UV
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.12.5µA
  • Dunkelstrom max.3nA
  • Empfindlichkeit-Halbwertswinkel120°
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.53
    Stück (In einer VPE à 10)
OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode, THT Side-View-Gehäuse 3-Pin
  • GehäusetypSide-View
  • Montage TypTHT
  • Anzahl der Pins3
  • Länge3.1mm
  • Breite3mm
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • CHF.0.55
    Stück (In einer VPE à 20)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, UV, sichtbares Licht, 350nm → 950nm / 12.5μA, 2-Pin SMD
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht, UV
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.12.5µA
  • Dunkelstrom max.3nA
  • Empfindlichkeit-Halbwertswinkel120°
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.200
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM SMD Fototransistor IR, Sichtbares Licht 45μs, 500nm → 1100nm / 320μA, 2-Pin MIDLED
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.45µs
  • Regelanstiegszeit45µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.320µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.305
    Stück (In einer VPE à 20)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 24μs, 460nm → 1080nm, 6-Pin SMD
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.24µs
  • Regelanstiegszeit24µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Dunkelstrom max.200nA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.44
    Stück (In einer VPE à 20)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 1000μA, 2-Pin SMD
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.1000µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.368
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM MIDLED SMD Fototransistor IR, Sichtbares Licht 45μs, 500nm → 1100nm / 500μA, 2-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.45µs
  • Regelanstiegszeit45µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.500µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.137
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 10μs, 730nm → 1120nm, 2-Pin 5mm
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.10µs
  • Regelanstiegszeit10µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Dunkelstrom max.50nA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.1.22
    Stück (In einer VPE à 5)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 6μs, 450nm → 1100nm / 1900μA, 2-Pin DIP
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.6µs
  • Regelanstiegszeit6µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.1900µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.431
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 24μs, 460nm → 1080nm, 3-Pin DIP
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.24µs
  • Regelanstiegszeit24µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Dunkelstrom max.100nA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.1.05
    Stück (In einer VPE à 5)
OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit850nm
  • GehäusetypDIP
  • Montage TypSMD
  • VerstärkerfunktionNein
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • CHF.0.29
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 24μs, 460nm → 1080nm, 6-Pin SMD
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.24µs
  • Regelanstiegszeit24µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Dunkelstrom max.200nA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • CHF.0.746
    Stück (In einer VPE à 5)
OSRAM Opto Semiconductors Fotodetektor-Verstärker IR, Sichtbares Licht 950nm, SMD DIP-Gehäuse
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit950nm
  • GehäusetypDIP
  • Montage TypSMD
  • Länge2.1mm
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • CHF.0.27
    Stück (In einer VPE à 10)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 7200μA, 2-Pin 3mm
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.7200µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
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