Renesas Electronics

Speicherbausteine

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Speicherbausteine
(20) FIFO-Speicher
(2) NVRAM
(114) SRAM
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Beschreibung
Produkt-Details
Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
  • CHF.3.53
    Stück (In einer Stange von 26)
Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe1MBit
  • Organisation64 K x 16
  • Anzahl der Wörter64K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.12ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 2MBit SRAM-Speicher 1M, 16bit / Wort
  • CHF.7.256Stück
Renesas Electronics 2MBit SRAM-Speicher 1M, 16bit / Wort
  • Speicher Größe2MBit
  • Organisation1M X 16
  • Anzahl der Wörter1M
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.55ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics FIFO-Speicher 72kbit 8K x 9 Uni-Directional 8k 9bit Single 15 ns 40MHz 4,5 V bis 5 V 32-Pin PLCC
  • CHF.28.25Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics FIFO-Speicher 72kbit 8K x 9 Uni-Directional 8k 9bit Single 15 ns 40MHz 4,5 V bis 5 V 32-Pin PLCC
  • Speicher Größe72kbit
  • Organisation8K x 9
  • Datenbus-Breite9bit
  • Bus gebündeltUni-Directional
  • Zugriffszeit15 ns
Vergleichbare Produkte in "FIFO-Speicher"
Renesas Electronics NVRAM 32MB 2M x 16 Bit Parallel 45ns SMD, FBGA 48-Pin 10 x 10 x 1.35mm
  • CHF.121.937Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics NVRAM 32MB 2M x 16 Bit Parallel 45ns SMD, FBGA 48-Pin 10 x 10 x 1.35mm
  • Speicher Größe32MB
  • Organisation2M x 16 Bit
  • Interface-TypParallel
  • Datenbus-Breite16bit
  • Zugriffszeit max.45ns
Vergleichbare Produkte in "NVRAM"
Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
  • CHF.3.99
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe1MBit
  • Organisation64 K x 16
  • Anzahl der Wörter64K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.12ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 1024kbit SRAM 128K, 8bit / Wort, 32-polig, SOJ
  • CHF.3.72
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 1024kbit SRAM 128K, 8bit / Wort, 32-polig, SOJ
  • Speicher Größe1024kbit
  • Organisation128 K x 8
  • Anzahl der Wörter128K
  • Anzahl der Bits pro Wort8bit
  • Zugriffszeit max.20ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort
  • CHF.2.21
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort
  • Speicher Größe256kbit
  • Organisation32 K x 8
  • Anzahl der Wörter32K
  • Anzahl der Bits pro Wort8bit
  • Zugriffszeit max.12ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 8MBit LowPower SRAM 512k, 16bit / Wort, 2,4 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
  • CHF.5.88Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 8MBit LowPower SRAM 512k, 16bit / Wort, 2,4 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
  • Speicher Größe8MBit
  • Organisation512k x 16
  • Anzahl der Wörter512k
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.45ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 1MBit SRAM
  • CHF.2.86
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 1MBit SRAM
  • Speicher Größe1MBit
  • Organisation64 k x 16
  • Zugriffszeit max.10ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 8MBit LowPower SRAM 512k, 16bit / Wort, 2,4 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
  • CHF.5.093
    Stück (In einem Tray von 135)
Renesas Electronics 8MBit LowPower SRAM 512k, 16bit / Wort, 2,4 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
  • Speicher Größe8MBit
  • Organisation512k x 16
  • Anzahl der Wörter512k
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.45ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • CHF.9.72
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Anzahl der Wörter256K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.10ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • CHF.7.54
    Stück (In einem Tray von 135)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation512 k x 8 Bit
  • Anzahl der Wörter512k
  • Anzahl der Bits pro Wort8bit
  • Zugriffszeit max.10ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics FIFO-Speicher 576kbit 64 k x 9 Bi-Directional 12 ns
  • CHF.103.68Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics FIFO-Speicher 576kbit 64 k x 9 Bi-Directional 12 ns
  • Speicher Größe576kbit
  • Organisation64 k x 9
  • Datenbus-Breite9bit
  • Bus gebündeltBi-Directional
  • Zugriffszeit12 ns
Vergleichbare Produkte in "FIFO-Speicher"
Renesas Electronics 8kbit LowPower SRAM 1K, 8bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, PLCC-52 52-Pin
  • CHF.21.48Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 8kbit LowPower SRAM 1K, 8bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, PLCC-52 52-Pin
  • Speicher Größe8kbit
  • Organisation1 K x 8
  • Anzahl der Wörter1K
  • Anzahl der Bits pro Wort8bit
  • Zugriffszeit max.20ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 1MBit SRAM 128k, 8bit / Wort
  • CHF.3.392
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 1MBit SRAM 128k, 8bit / Wort
  • Speicher Größe1MBit
  • Organisation128 K x 8
  • Anzahl der Wörter128k
  • Anzahl der Bits pro Wort8bit
  • Zugriffszeit max.20ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • CHF.7.54
    Stück (In einer Stange von 26)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Anzahl der Wörter256K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.10ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 1024kbit LowPower SRAM 64K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin
  • CHF.136.217
    Stück (In einem Tray von 6)
Renesas Electronics 1024kbit LowPower SRAM 64K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin
  • Speicher Größe1024kbit
  • Organisation64 K x 16
  • Anzahl der Wörter64K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.20ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 16bit SRAM-Speicherbaustein, 16bit / Wort
  • CHF.3.89
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 16bit SRAM-Speicherbaustein, 16bit / Wort
  • Speicher Größe16bit
  • Organisation1M x 16
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.3.5µs
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics 16kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, PDIP-48 48-Pin
  • CHF.18.176Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Renesas Electronics 16kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, PDIP-48 48-Pin
  • Speicher Größe16kbit
  • Organisation1 K x 8
  • Anzahl der Wörter2K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.100ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
Renesas Electronics NVRAM 32MB 2 M x 16 Parallel 45ns SMD, FBGA 48-Pin 10 x 10 x 1.35mm
  • CHF.105.71
    Stück (In einem Tray von 168)
Renesas Electronics NVRAM 32MB 2 M x 16 Parallel 45ns SMD, FBGA 48-Pin 10 x 10 x 1.35mm
  • Speicher Größe32MB
  • Organisation2 M x 16
  • Interface-TypParallel
  • Datenbus-Breite16bit
  • Zugriffszeit max.45ns
Vergleichbare Produkte in "NVRAM"
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