Renesas Electronics

Speicherbausteine

Kategorie

Speicherbausteine
Anzeige 1 - 20 von 138 Produkten
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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.9.83
    Stück (In einer Stange von 26)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Anzahl der Wörter256K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.10ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.8.390
    Stück (In einem Tray von 135)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 k x 16 Bit
  • Anzahl der Wörter256k
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.12ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.19.835
    Stück (In einer Stange von 14)
Renesas Electronics FIFO-Speicher 4,096 x 9 Bi-Directional 12 ns
  • Organisation4,096 x 9
  • Bus gebündeltBi-Directional
  • Zugriffszeit12 ns
Vergleichbare Produkte in "FIFO-Speicher"
  • CHF.103.982Stück
Renesas Electronics 512kbit LowPower SRAM 32K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin
  • Speicher Größe512kbit
  • Organisation32 K x 16
  • Anzahl der Wörter32K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.20ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.8.78
    Stück (In einer Stange von 26)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Anzahl der Wörter256K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.15ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.11.15Stück
Renesas Electronics 4MBit SRAM
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Zugriffszeit max.15ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.8.78
    Stück (In einer Stange von 26)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Anzahl der Wörter256K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.10ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.2.86
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics 1MBit SRAM-Speicher
  • Speicher Größe1MBit
  • Organisation64 K x 16
  • Zugriffszeit max.12ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.3.53
    Stück (In einer Stange von 26)
Renesas Electronics 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 64K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe1MBit
  • Organisation64 K x 16
  • Anzahl der Wörter64K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.12ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.10.910
    Stück (In einer VPE à 2)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Anzahl der Wörter256K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.10ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.10.259Stück
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 k x 16 Bit
  • Anzahl der Wörter256k
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.12ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.8.13
    Stück (In einem Tray von 135)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation512 k x 8 Bit
  • Anzahl der Wörter512k
  • Anzahl der Bits pro Wort8bit
  • Zugriffszeit max.10ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.4.946
    Stück (In einem Tray von 135)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Anzahl der Wörter256k
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.45ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.2.21
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort
  • Speicher Größe256kbit
  • Organisation32 K x 8
  • Anzahl der Wörter32K
  • Anzahl der Bits pro Wort8bit
  • Zugriffszeit max.12ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.23.71Stück
Renesas Electronics FIFO-Speicher 4,096 x 9 Bi-Directional 12 ns
  • Organisation4,096 x 9
  • Bus gebündeltBi-Directional
  • Zugriffszeit12 ns
Vergleichbare Produkte in "FIFO-Speicher"
  • CHF.42.347
    Stück (In einem Tray von 45)
Renesas Electronics 64kbit LowPower SRAM 4K, 16bit / Wort 32bit, 4,5 V bis 5,5 V, TQFP-100 100-Pin
  • Speicher Größe64kbit
  • Organisation4K x 16
  • Anzahl der Wörter4K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.15ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.9.293
    Stück (In einer Stange von 26)
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256K, 16bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
  • Speicher Größe4MBit
  • Organisation256 K x 16
  • Anzahl der Wörter256K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.15ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.42.347
    Stück (In einem Tray von 45)
Renesas Electronics 64kbit LowPower SRAM 4K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin
  • Speicher Größe64kbit
  • Organisation4K x 16
  • Anzahl der Wörter4K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.20ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
  • CHF.13.829
    Stück (In einer Stange von 32)
Renesas Electronics FIFO-Speicher 1024 x 9 Uni-Directional 1024 9bit Single 15 ns 40MHz 3 V bis 3,6 V 32-Pin PLCC
  • Organisation1024 x 9
  • Datenbus-Breite9bit
  • Bus gebündeltUni-Directional
  • Zugriffszeit15 ns
  • KonfigurationSingle
Vergleichbare Produkte in "FIFO-Speicher"
  • CHF.89.59Stück
Renesas Electronics 256kbit LowPower SRAM 16K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin
  • Speicher Größe256kbit
  • Organisation16 K x 16
  • Anzahl der Wörter16K
  • Anzahl der Bits pro Wort16bit
  • Zugriffszeit max.25ns
Vergleichbare Produkte in "SRAM"
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