Semikron

Diskrete Halbleiter

Kategorie

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.127.250Stück
Semikron IGBT-Modul / 232 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.232 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • KonfigurationZweifach-Halbbrücke
  • GehäusegrößeSEMITRANS2
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.40.394Stück
Semikron SCR Modul Zweifachthyristormodul 40A SEMIPACK1 1200V 1kA
  • On-State Strom durchschnittlich40A
  • Thyristor-TypSCR Modul
  • GehäusegrößeSEMIPACK1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • Spitzenstrom1kA
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.24.23Stück
Semikron Brückengleichrichter, 3-phasig 9A 1800V THT DBi P Array 6 5-Pin
  • Brücken-Typ3-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert9A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1800V
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDBi P
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.17.336Stück
Semikron Schraub Diode Anoden-Bolzen, 1200V / 70A, 2-Pin E 12
  • Montage-TypBolzen
  • GehäusegrößeE 12
  • Dauer-Durchlassstrom max.70A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • DiodenkonfigurationAnoden-Bolzen
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.163.811Stück
Semikron Zweifachthyristormodul 50A G 12 1200V 370A
  • On-State Strom durchschnittlich50A
  • GehäusegrößeG 12
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • Spitzenstrom370A
  • Montage-TypTafelmontage
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.143.525Stück
Semikron IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
  • Dauer-Kollektorstrom max.150 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±15.0V
  • Anzahl an Transistoren2
  • KonfigurationHalbbrücke
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.59.441Stück
Semikron Schraub Diode , 1600V / 500A, 2-Pin E 15
  • Montage-TypSchraubmontage
  • GehäusegrößeE 15
  • Dauer-Durchlassstrom max.500A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.428.76Stück
Semikron IGBT-Modul / 430 A ±20V max., 1700 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.430 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1700 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • KonfigurationZweifach-Halbbrücke
  • GehäusegrößeSEMITRANS3
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.42.15Stück
Semikron SCR Zweifachthyristormodul 25A SEMIPACK1 1600V 550A
  • On-State Strom durchschnittlich25A
  • Thyristor-TypSCR
  • GehäusegrößeSEMIPACK1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom550A
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.51.98Stück
Semikron SCR Modul Zweifachthyristormodul 50A SEMIPACK1 1600V 1.5kA
  • On-State Strom durchschnittlich50A
  • Thyristor-TypSCR Modul
  • GehäusegrößeSEMIPACK1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom1.5kA
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.52.763Stück
Semikron SCR Modul Dioden-/Thyristor-Modul SCR 106A SEMIPACK1 1600V 2.25kA
  • On-State Strom durchschnittlich106A
  • Thyristor-TypSCR Modul
  • GehäusegrößeSEMIPACK1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom2.25kA
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.114.419
    Stück (In einer Box à 8)
Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±15.0V
  • Anzahl an Transistoren2
  • KonfigurationHalbbrücke
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.270.56Stück
Semikron IGBT-Modul / 500 A ±20V max., 600 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • KonfigurationZweifach-Halbbrücke
  • GehäusegrößeSEMITRANS3
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.17.12Stück
Semikron Brückengleichrichter, 1-phasig 17A 1600V Tafelmontage 2.2V 4-Pin 5mA Siliziumverbindung
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert17A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Montage-TypTafelmontage
  • Pinanzahl4
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.117.947Stück
Semikron Brückengleichrichter, 1-phasig 60A 800V Tafelmontage 1.6V SEMIPONT2 4-Pin 500μA Siliziumverbindung
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert60A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch800V
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößeSEMIPONT2
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.97.38Stück
Semikron IGBT-Transistormodul / 75 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±15.0V
  • Anzahl an Transistoren2
  • KonfigurationHalbbrücke
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.259.60Stück
Semikron SCR Zweifachthyristormodul 320A T 40 1600V 370A
  • On-State Strom durchschnittlich320A
  • Thyristor-TypSCR
  • GehäusegrößeT 40
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom370A
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.56.11Stück
Semikron SCR Zweifachthyristormodul 119A SEMIPACK1 1600V 2250A
  • On-State Strom durchschnittlich119A
  • Thyristor-TypSCR
  • GehäusegrößeSEMIPACK1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom2250A
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.27.773Stück
Semikron SCR Thyristor 22A 1600V 450A
  • On-State Strom durchschnittlich22A
  • Thyristor-TypSCR
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom450A
  • Montage-TypSchraubmontage
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.267.88Stück
Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V
  • Dauer-Kollektorstrom max.400 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±15.0V
  • Anzahl an Transistoren1
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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