onsemi

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.13
    Stück (Auf einer Rolle von 7500)
onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD DO-214AC (SMA) 2-Pin Siliziumverbindung 1.7V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AC (SMA)
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.116
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
onsemi N-Kanal JFET J112 Single, TO-92 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-AbschaltstromMin. 5mA
  • Gate-Source Spannung max.-35 V
  • Drain-Gate-Spannung max.35V
  • KonfigurationSingle
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • CHF.1.187
    Stück (In einer VPE à 5)
onsemi QFET FQP20N06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 20 A 53 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • SerieQFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.29
    Stück (In einer VPE à 50)
onsemi KSA1281YTA THT, PNP Transistor –50 V / –2 A 1 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–2 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.3.55
    Stück (In einer Stange von 30)
onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 20 A HFE:100, TO-247 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung100 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.5.44
    Stück (In einer VPE à 2)
onsemi NPN Darlington-Transistor 250 V 15 A HFE:100, TO-247 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung250 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.63
    Stück (In einer VPE à 2)
onsemi NTD24N06LT4G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 24 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.24 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.179
    Stück (In einer VPE à 25)
onsemi BC547BTA THT, NPN Transistor 45 V / 100 mA 300 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung45 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 25)
onsemi Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 3.6V / 300 mW max, SOT-23 3-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Zenerspannung nom.3.6V
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Verlustleistung max.300 mW
Vergleichbare Produkte in "Zener Dioden"
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 200)
onsemi BC557BTF THT, PNP Transistor –45 V / -100 mA 10 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–45 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.69Stück
onsemi BD135G THT, NPN Transistor 45 V / 1,5 A, TO-225 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.1,5 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung45 V
  • GehäusegrößeTO-225
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.200
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
onsemi SMD Schottky Diode , 40V / 3A, 2-Pin DO-214AC (SMA)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AC (SMA)
  • Dauer-Durchlassstrom max.3A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch40V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.4.45
    Stück (In einer VPE à 2)
onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 20 A HFE:100, TO-247 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung100 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.053
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
onsemi 2N3906BU THT, PNP Transistor –40 V / –200 mA, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–200 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–40 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.431
    Stück (In einer VPE à 20)
onsemi PowerTrench NDC7003P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 340 mA 960 mW, 6-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.340 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SeriePowerTrench
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.053
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
onsemi BC557BTA THT, PNP Transistor –45 V / -100 mA 150 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–45 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.095
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi NTR4502PT1G P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.1,9 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.32
    Stück (In einer VPE à 50)
onsemi N-Kanal JFET J112 Single, TO-92 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-AbschaltstromMin. 5mA
  • Gate-Source Spannung max.-35 V
  • Drain-Gate-Spannung max.35V
  • KonfigurationSingle
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • CHF.0.46
    Stück (In einer VPE à 5)
onsemi THT Diode, 1000V / 1A, 2-Pin DO-41
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-41
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1000V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.40
    Stück (In einer VPE à 50)
onsemi THT Gleichrichter Diode, 200V / 1A, 2-Pin DO-41
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-41
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch200V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
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