Renesas Electronics

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.53Stück
Renesas Electronics NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.4 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung80 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeSOT-32
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.746
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.25 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.67
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics BEAM N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeWPAK
  • SerieBEAM
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.6.28Stück
Renesas Electronics HFA3096BZ SMD, NPN/PNP Transistor Pent 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN/PNP
  • DC Kollektorstrom max.65 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung8 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.3.68
    Stück (In einer VPE à 2)
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich20A
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-3PFM
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1500V
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
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