Toshiba

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.536
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba Dual Full Bridge Motor Driver TC78H651FNG(O,EL), TSSOP, 16-Pin, 1.6A, 7 V, DC, Vierfach-Halbbrücke
  • MotortypDC
  • AusgangskonfigurationVierfach-Halbbrücke
  • Ausgangsstrom max.1.6A
  • Versorgungsspannung max.7 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
  • CHF.0.42
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba TAR5S30U(TE85L,F) Positiv Low Drop Spannungsregler 0.45W, SMD, 3 V / 200mA, UFV 5-Pin
  • Ausgangsstrom max.200mA
  • ReglertypNiedrige Abfallspannung
  • Ausgangsspannung3 V
  • Anzahl der Ausgänge1
  • Line-Regulation15 mV
Vergleichbare Produkte in "Spannungsregler"
  • CHF.0.19
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Logikgatter, 4-Elem., ODER, VCX, 24mA, 14-Pin, TSSOP, 2
  • LogikfunktionODER
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente4
  • Eingänge pro Gatter2
  • Schmitt-Trigger-EingangNein
Vergleichbare Produkte in "Logikgatter"
  • CHF.2.12Stück
Toshiba Power Switch IC Schalter Hochspannungsseite Hochspannungsseite 1.2Ω 40 V max. 8 Ausg.
  • Topologie des NetzschaltersHochspannungsseite
  • Netzschalter-TypSchalter Hochspannungsseite
  • Einschaltwiderstand1.2Ω
  • Arbeitsspannnung max.40 V
  • Anzahl der Ausgänge8
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
  • CHF.1.439
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba Motor Driver IC TC78B009FTG(Z,EL), QFN, 36-Pin, 3A, 36 V, BLDC
  • MotortypBLDC
  • Ausgangsstrom max.3A
  • Versorgungsspannung max.36 V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeQFN
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
  • CHF.0.50
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.105 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.095
    Stück (In einer VPE à 100)
Toshiba Inverter CMOS, Open Drain 12.5 ns @ 50 pF, SOT-25
  • LogikfunktionInverter
  • Eingangs-TypCMOS
  • Ausgangs-TypOpen Drain
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL12.5 ns @ 50 pF
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
  • CHF.0.19
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Logikgatter, 1-Elem., AND, HC, 2.6mA, 5-Pin, SSOP, USV, 2
  • LogikfunktionAND
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente1
  • Eingänge pro Gatter2
  • Schmitt-Trigger-EingangNein
Vergleichbare Produkte in "Logikgatter"
  • CHF.0.263
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Inverter Schmitt-Trigger Hex 11.4 ns @ 5 V, SOP
  • LogikfunktionInverter
  • Eingangs-TypSchmitt-Trigger
  • Anzahl der Elemente pro Chip6
  • Schmitt-Trigger-EingangJa
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL11.4 ns @ 5 V
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 100)
Toshiba Logikgatter, 1-Elem., NOR, CMOS, 32mA, 5-Pin, SOT-553, 2
  • LogikfunktionNOR
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente1
  • Eingänge pro Gatter2
  • GehäusegrößeSOT-553
Vergleichbare Produkte in "Logikgatter"
  • CHF.0.074
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba Inverter CMOS, Strom Triple 7 ns @ 50 pF, SSOP
  • LogikfunktionInverter
  • Eingangs-TypCMOS
  • Ausgangs-TypStrom
  • Anzahl der Elemente pro Chip3
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL7 ns @ 50 pF
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
  • CHF.0.25
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Diode, 800V / 1A, 2-Pin S-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch800V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.809
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.95
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Power Switch IC 8-Kanal 2-50 V max.
  • Anzahl der Kanäle8
  • Arbeitsspannnung max.2-50 V
  • Betriebsstrom max.-0.5A
  • GehäusegrößeP-DIP18
  • Pinanzahl18
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
  • CHF.0.389
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.65 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.15
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.22 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTSON
  • SerieU-MOSVIII-H
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.21
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK2145-BL(TE85L,F), SMV 5-Pin
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom14mA
  • Gate-Source Spannung max.–50 V
  • GehäusegrößeSMV
  • Pinanzahl5
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Schottky Diode Isoliert, 45V / 100mA, 4-Pin SC-61
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-61
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationIsoliert
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.368
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieDTMOSIV
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.4.77
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK090A65Z N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK090A65Z
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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