International Rectifier

Diskrete Halbleiter

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Diskrete Halbleiter
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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.24.32Stück
International Rectifier IGBT / 240 A ±20V max., 600 V 750 W, 3-Pin Super-247 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.240 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.750 W
  • GehäusegrößeSuper-247
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  • CHF.0.788
    Stück (In einer VPE à 10)
International Rectifier AUIRFL024N N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 55 V / 2,8 A 1 W, 3-Pin SOT-223
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Montage-TypSMD
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