IXYS

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.34.703
    Stück (In einer Box à 10)
IXYS Brückengleichrichter, 3-phasig 63A 1600V Tafelmontage 1.8V PWS D 5-Pin 300μA Siliziumverbindung
  • Brücken-Typ3-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert63A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößePWS D
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.11.34Stück
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 44 A 650 W, 3-Pin TO-247AD
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.44 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • GehäusegrößeTO-247AD
  • SerieHiperFET, Polar
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.37.559
    Stück (In einer Stange von 10)
IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 300V / 2 x 90A, 4-Pin SOT-227B
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößeSOT-227B
  • Dauer-Durchlassstrom max.2 x 90A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch300V
  • DiodenkonfigurationIsoliert
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.24.875Stück
IXYS Brückengleichrichter, 1-phasig 38A 1200V Schraubmontage 1.36V FO-A 4-Pin 5mA
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert38A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • Montage-TypSchraubmontage
  • GehäusegrößeFO-A
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.38.45
    Stück (In einer Stange von 25)
IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.82 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößePLUS264
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.29.600
    Stück (In einer Stange von 10)
IXYS SCR Zweifachthyristormodul 50A SOT-227B 1600V 865A
  • On-State Strom durchschnittlich50A
  • Thyristor-TypSCR
  • GehäusegrößeSOT-227B
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom865A
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.187.121Stück
IXYS SCR Modul Zweifachthyristormodul 250A Y1 CU 1600V 9.6kA
  • On-State Strom durchschnittlich250A
  • Thyristor-TypSCR Modul
  • GehäusegrößeY1 CU
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom9.6kA
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • CHF.30.89
    Stück (In einer Stange von 30)
IXYS IGBT / 95 A ±20V max. , 2500 V 937 W, 3-Pin TO247HV
  • Dauer-Kollektorstrom max.95 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung2500 V
  • Gate-Source Spannung max.±20 V, ±30V
  • Anzahl an Transistoren1
  • Verlustleistung max.937 W
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.3.76
    Stück (In einer Stange von 30)
IXYS THT Diode, 1000V / 30A, 2-Pin ISOPLUS247
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeISOPLUS247
  • Dauer-Durchlassstrom max.30A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1000V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.2.77
    Stück (In einer VPE à 5)
IXYS THT Diode, 800V / 11A, 3-Pin TO-220AB
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Dauer-Durchlassstrom max.11A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch800V
  • DiodenkonfigurationSerie
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.11.120Stück
IXYS IGBT / 70 A ±20V max., 1200 V 577 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.577 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.6.95
    Stück (In einer Stange von 30)
IXYS THT Diode Gemeinsame Kathode, 600V / 30A, 3-Pin TO-247AD
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-247AD
  • Dauer-Durchlassstrom max.30A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.27.22Stück
IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin PLUS247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.24 A
  • Drain-Source-Spannung max.1000 V
  • GehäusegrößePLUS247
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.15.90
    Stück (In einer Stange von 25)
IXYS IGBT / 570 A ±20V max. , 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.570 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung650 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Anzahl an Transistoren1
  • Verlustleistung max.880 W
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.4.75
    Stück (In einer Stange von 30)
IXYS THT Diode, 1000V / 30A, 2-Pin TO-247AD
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-247AD
  • Dauer-Durchlassstrom max.30A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1000V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.2.447
    Stück (In einer Stange von 50)
IXYS THT Diode, 1600V / 30A, 2-Pin TO-220AC
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-220AC
  • Dauer-Durchlassstrom max.30A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.8.51Stück
IXYS THT Diode , 1200V / 109A, 2-Pin TO-247AD
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-247AD
  • Dauer-Durchlassstrom max.109A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.10.952
    Stück (In einer Stange von 10)
IXYS Schraub Diode Kathoden-Bolzen, 1200V / 49A, 2-Pin DO-203AB
  • Montage-TypSchraubmontage
  • GehäusegrößeDO-203AB
  • Dauer-Durchlassstrom max.49A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • DiodenkonfigurationKathoden-Bolzen
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.25.26
    Stück (In einer Stange von 25)
IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin TO-264
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.64 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • GehäusegrößeTO-264
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.46.87
    Stück (In einer Stange von 10)
IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 145 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.145 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieHiperFET
  • GehäusegrößeSOT-227
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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