NXP

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.305
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP Gemeinsame Kathode Varactor für Tuner 2 Elem./Chip, 76pF 15V Abstimmverhältnis 2.6 3-Pin
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
  • AnwendungTuner
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Diodenkapazität min.76pF
  • Sperrspannung max.15V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • CHF.0.389
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP Gemeinsame Kathode Varactor für Tuner 2 Elem./Chip, 76pF 15V Abstimmverhältnis 2.6 3-Pin
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • AnwendungTuner
  • Diodenkapazität min.76pF
  • Sperrspannung max.15V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • CHF.0.23
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP Einfach Varactor für TCXO, Tune, VCXO 1 Elem./Chip, 19.9pF 10V Abstimmverhältnis 3.7 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • AnwendungTCXO, Tune, VCXO
  • Diodenkapazität min.19.9pF
  • Sperrspannung max.10V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • CHF.0.27
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP pin-Diode für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V UMD 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • AnwendungDämpfungsglied, Switch
  • Durchlassstrom max.100mA
  • Sperrspannung max.175V
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
  • CHF.0.04
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP pin-Diode Einfach 50mA 50V UMD 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Durchlassstrom max.50mA
  • Sperrspannung max.50V
  • Durchlassspannung max.1.1V
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
  • CHF.0.34
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP N-Kanal JFET BF861C,215, 25 V Single, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom12 to 25mA
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • Gate-Source Spannung max.+25 V
  • Drain-Gate-Spannung max.25V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • CHF.0.074
    Stück (In einer VPE à 200)
NXP PDTA114EE,115 SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V, SOT-416 (SC-75) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOT-416 (SC-75)
  • Montage-TypSMD
  • Verlustleistung max.150 mW
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.116
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP N-Kanal JFET PMBFJ308,215, 25 V Single, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom12 to 60mA
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • Gate-Source Spannung max.-25 V
  • Drain-Gate-Spannung max.-25V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • CHF.0.90
    Stück (In einer Stange von 50)
NXP TRIAC 20A TO-220AB THT Gate Trigger 1V 25mA, 800V, 800V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich20A
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Gate-Triggerstrom max.25mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch800V
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • CHF.0.17
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP BF1201WR,115 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 10 V / 30 mA 200 mW, 4-Pin CMPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 mA
  • Drain-Source-Spannung max.10 V
  • GehäusegrößeCMPAK
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.17
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP pin-Diode Gemeinsame Anode 50mA 50V UMT 3-Pin
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Durchlassstrom max.50mA
  • Sperrspannung max.50V
  • Ladungsträgerlebensdauer0.55µs
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
  • CHF.0.08
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP BFU725F/N1 SMD, NPN Transistor 2,8 V / 40 mA 12 GHz, SOT-343F 4-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.40 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung2,8 V
  • GehäusegrößeSOT-343F
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.38
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP Einfach Varactor für Tuner 1 Elem./Chip, 26pF 30V Abstimmverhältnis 5 3-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungTuner
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Diodenkapazität min.26pF
  • Sperrspannung max.30V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • CHF.0.893
    Stück (In einer VPE à 5)
NXP BUK9575-100A,127 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 98 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.23 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • RS Best.-Nr.
    484-2915
  • Marke
    NXP
  • Herst. Teile-Nr.
    BUK9575-100A,127
  • CHF.0.158
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP Einfach Varactor für Tuner 1 Elem./Chip, 26pF 30V Abstimmverhältnis 5 3-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • AnwendungTuner
  • Diodenkapazität min.26pF
  • Sperrspannung max.30V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • CHF.0.368
    Stück (In einer VPE à 25)
NXP Einfach Varactor für Tuner, VCO 1 Elem./Chip, 17.5pF 30V Abstimmverhältnis 8.9 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • AnwendungTuner, VCO
  • Diodenkapazität min.17.5pF
  • Sperrspannung max.30V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • CHF.0.179
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP BF904,215 N-Kanal, SMD MOSFET 7 V / 30 mA 200 mW, 4-Pin SOT
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 mA
  • Drain-Source-Spannung max.7 V
  • GehäusegrößeSOT
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 30)
NXP BFU725F/N1 SMD, NPN Transistor 2,8 V / 40 mA 12 GHz, SOT-343F 4-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.40 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung2,8 V
  • GehäusegrößeSOT-343F
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.15
    Stück (In einer VPE à 20)
NXP PMD9003D,115 SMD, NPN Digitaler Transistor Dual 50 V, TSOP 6-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeTSOP
  • Montage-TypSMD
  • Basis-Emitter Spannung max.10 V
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • RS Best.-Nr.
    509-453
  • Marke
    NXP
  • Herst. Teile-Nr.
    PMD9003D,115
  • CHF.0.305
    Stück (In einer VPE à 20)
NXP pin-Diode für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V SOD-523 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungDämpfungsglied, Switch
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Durchlassstrom max.100mA
  • Sperrspannung max.175V
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
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