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Beschreibung
Produkt-Details
onsemi BSS138 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 220 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
  • CHF.0.04
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi BSS138 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 220 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.220 mA
  • Drain-Source-Spannung max.50 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
onsemi SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 50V / 500mA, 3-Pin SOT-23
  • CHF.0.179
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 50V / 500mA, 3-Pin SOT-23
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Dauer-Durchlassstrom max.500mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch50V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
onsemi NPN Darlington-Transistor 250 V 15 A HFE:100, TO-247 3-Pin Einfach
  • CHF.4.211
    Stück (In einer Stange von 30)
onsemi NPN Darlington-Transistor 250 V 15 A HFE:100, TO-247 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung250 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
onsemi SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 50V / 500mA, 3-Pin SOT-23
  • CHF.0.44
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 50)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
onsemi SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 50V / 500mA, 3-Pin SOT-23
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Dauer-Durchlassstrom max.500mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch50V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
onsemi PowerTrench FDC6333C N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,5 A 960 mW, 6-Pin SOT-23
  • CHF.0.179
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
onsemi PowerTrench FDC6333C N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,5 A 960 mW, 6-Pin SOT-23
  • Channel-TypN, P
  • Dauer-Drainstrom max.2 A; 2,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SeriePowerTrench
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
onsemi NTR4501NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,2 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
  • CHF.0.08
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi NTR4501NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,2 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,2 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
onsemi 1N4007 THT Diode , 1000V / 1A, 2-Pin DO-41
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 100)
onsemi 1N4007 THT Diode , 1000V / 1A, 2-Pin DO-41
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-41
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1000V
  • Serie1N4007
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
onsemi SMD Diode, 50V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)
  • CHF.0.11
    Stück (Auf einer Rolle von 7500)
onsemi SMD Diode, 50V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AC (SMA)
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch50V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal
  • CHF.4.39
    Stück (In einer Stange von 30)
onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.120 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung650 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.600 W
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
onsemi MMBT8099LT1G SMD, NPN Transistor 80 V / 500 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin
  • CHF.0.08
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 100)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
onsemi MMBT8099LT1G SMD, NPN Transistor 80 V / 500 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung80 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
onsemi BC847CLT3G SMD, NPN Transistor 45 V / 100 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin
  • CHF.0.032
    Stück (In einer VPE à 250)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
onsemi BC847CLT3G SMD, NPN Transistor 45 V / 100 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
onsemi THT Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-41
  • CHF.0.13
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
onsemi THT Diode, 400V / 1A, 2-Pin DO-41
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-41
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch400V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
onsemi SMD Diode, 1000V / 3A, 2-Pin DO-214AB (SMC)
  • CHF.0.116
    Stück (In einer VPE à 50)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
onsemi SMD Diode, 1000V / 3A, 2-Pin DO-214AB (SMC)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AB (SMC)
  • Dauer-Durchlassstrom max.3A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1000V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
onsemi BC546BTF THT, NPN Transistor 65 V / 100 mA 1 MHz, TO-92 3-Pin
  • CHF.0.053
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
onsemi BC546BTF THT, NPN Transistor 65 V / 100 mA 1 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung65 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
onsemi UltraFET HUF75344G3 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247
  • CHF.2.67
    Stück (In einer Stange von 30)
onsemi UltraFET HUF75344G3 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.75 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • SerieUltraFET
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
onsemi PowerTrench FDZ661PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 4-Pin WLCSP
  • CHF.0.29
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
onsemi PowerTrench FDZ661PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 4-Pin WLCSP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.2,6 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • SeriePowerTrench
  • GehäusegrößeWLCSP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
onsemi TVS-Diode Uni-Directional Einfach 23.7V 13.5V min., 2-Pin, SMD 1V max SOD-923
  • CHF.0.032
    Stück (Auf einer Rolle von 8000)
onsemi TVS-Diode Uni-Directional Einfach 23.7V 13.5V min., 2-Pin, SMD 1V max SOD-923
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.23.7V
  • Durchschlagspannung min.13.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
onsemi NTR4171PT1G P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
  • CHF.0.13
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi NTR4171PT1G P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
onsemi MMBT8099LT1G SMD, NPN Transistor 80 V / 500 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin
  • CHF.0.04
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi MMBT8099LT1G SMD, NPN Transistor 80 V / 500 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung80 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
onsemi FQD7P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • CHF.1.16
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
onsemi FQD7P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.5,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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