Texas Instruments Diskrete Halbleiter| RS

Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.1.24
    Stück (In einer Stange von 40)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.34
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • CHF.0.11
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.55Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • CHF.0.284
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 19V 6.7V min., SMD X1SON
  • CHF.0.683
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 19V 6.7V min., SMD X1SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.19V
  • Durchschlagspannung min.6.7V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX1SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A, 8-Pin VSONP
  • CHF.0.263
    Stück (In einer VPE à 50)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments P-Kanal, SMD MOSFET -12 V / 2,9 A PICOSTAR
  • CHF.0.704
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments P-Kanal, SMD MOSFET -12 V / 2,9 A PICOSTAR
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.2,9 A
  • Drain-Source-Spannung max.-12 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSONP
  • CHF.0.662
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.14 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 200 A DDPAK/ TO-263
  • CHF.1.712
    Stück (Auf einer Rolle von 50)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 200 A DDPAK/ TO-263
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeDDPAK/ TO-263
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 10-Pin, SMD UQFN
  • CHF.0.389
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 10-Pin, SMD UQFN
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode 7V 6.5V min., 8-Pin, SMD TSSOP
  • CHF.1.64
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode 7V 6.5V min., 8-Pin, SMD TSSOP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Klemmenspannung max.7V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeTSSOP
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5.5V max X2SON
  • CHF.0.431
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5.5V max X2SON
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.14V
  • Durchschlagspannung min.6V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A PICOSTAR
  • CHF.0.74
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.1,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode 7V 6.5V min., 8-Pin, SMD TSSOP
  • CHF.1.09
    Stück (In einer Stange von 150)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode 7V 6.5V min., 8-Pin, SMD TSSOP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Klemmenspannung max.7V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeTSSOP
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 8.9V 7.5V min., SMD TPD1E04U04DPLT
  • CHF.0.452
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 8.9V 7.5V min., SMD TPD1E04U04DPLT
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.8.9V
  • Durchschlagspannung min.7.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeTPD1E04U04DPLT
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array 8V 7V min., 10-Pin, SMD USON
  • CHF.0.59
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array 8V 7V min., 10-Pin, SMD USON
  • DiodenkonfigurationArray
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NexFET P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON
  • CHF.0.431
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NexFET P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeWSON
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 76 A, 8-Pin VSONP
  • CHF.0.305
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 76 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.76 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NPN Darlington-Paar 20 V 140 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.200
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NPN Darlington-Paar 20 V 140 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.140 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung20 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
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