Texas Instruments Diskrete Halbleiter| RS

Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.1.24
    Stück (In einer Stange von 40)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.34
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • CHF.0.11
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • CHF.0.284
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.55Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, TSSOP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.515
    Stück (In einer Stange von 90)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, TSSOP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
  • CHF.0.17
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeWSON
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 60 A 3 W, 8-Pin SON
  • CHF.0.44
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 60 A 3 W, 8-Pin SON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeSON
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A WSON
  • CHF.0.53
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A WSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeWSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NPN Darlington-Paar 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.86
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Paar 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößePDIP
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, TSSOP 16-Pin
  • CHF.0.25
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, TSSOP 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl16
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A WSON
  • CHF.0.53
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A WSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeWSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • CHF.0.683
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieFemtoFET
  • GehäusegrößePICOSTAR
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • CHF.0.53
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieFemtoFET
  • GehäusegrößePICOSTAR
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A, 8-Pin VSONP
  • CHF.0.42
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
  • CHF.0.17
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeWSON
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 19V 6.7V min., SMD X1SON
  • CHF.0.683
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 19V 6.7V min., SMD X1SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.19V
  • Durchschlagspannung min.6.7V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX1SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,9 A PICOSTAR
  • CHF.0.389
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,9 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,9 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 43 A 3,2 W, 8-Pin VSCON-CLIP
  • CHF.0.65
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 43 A 3,2 W, 8-Pin VSCON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSCON-CLIP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 200 A DDPAK/ TO-263
  • CHF.1.53
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 200 A DDPAK/ TO-263
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeDDPAK/ TO-263
  • Montage-TypSMD
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