Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.410
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, TSSOP 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl16
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.15
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments TVS-Diode-Array Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 5-Pin, SMD 5.5V max SOT-553
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.43
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.074
    Stück (In einer VPE à 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.494
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5.5V max X2SON
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.14V
  • Durchschlagspannung min.6V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 20)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 15V 6.5V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.32
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 73 A 3 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.73 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.389
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 19V 6.7V min., SMD X2SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.19V
  • Durchschlagspannung min.6.7V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX2SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.63
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3,5 A DSBGA
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeDSBGA
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.607
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode 7V 6.5V min., 8-Pin, SMD TSSOP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Klemmenspannung max.7V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeTSSOP
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.200
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V, TSSOP 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl16
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.305
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array 8V 7V min., 10-Pin, SMD USON
  • DiodenkonfigurationArray
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.200
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 9.7V 6.5V min., 5-Pin, SMD SOT-5X3
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.9.7V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-5X3
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.7.991
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments Brückengleichrichter, 1-phasig 1A 50V THT 1.3V PDIP Dual 8-Pin 100μA Schottky
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch50V
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.0.25
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 8.8V 7.5V min., SMD USON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.8.8V
  • Durchschlagspannung min.7.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.389
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 8.9V 5V min., SMD X1SON
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.8.9V
  • Durchschlagspannung min.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX1SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.34
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,1 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.2.46
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 204 A 3,2 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.204 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.97
    Stück (In einer VPE à 2)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.157 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.725
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 6-Pin, SMD SOT-23
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
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