Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.1.376
    Stück (In einer Stange von 40)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.347
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.29
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.389
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.59Stück
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.1.11
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments Programmierbare Stromquelle LM234Z-6/NOPB, 10mA TO-92, 3-Pin, 5.2 x 4.19 x 5.2mm
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Stromregler max.10mA
  • Betriebsspitzenspannung max.30V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • CHF.0.78
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 19V 6.7V min., SMD X1SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.19V
  • Durchschlagspannung min.6.7V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX1SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.4.43
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET CSD19506KCS N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.273 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.998
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments CSD17578Q3AT N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.14 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.242
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Pinanzahl16
  • Anzahl der Elemente pro Chip7
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.935
    Stück (In einer Stange von 40)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.1.607
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 8-Pin, SMD TSSOP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl8
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.82
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments CSD13306WT N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3,5 A DSBGA
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeDSBGA
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.019
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 19V 6.7V min., SMD X1SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.19V
  • Durchschlagspannung min.6.7V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX1SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.27
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments NexFET CSD25310Q2 P-Kanal MOSFET 20 V / 20 A, 6-Pin WSON
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeWSON
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.78
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 8.9V 5V min., SMD X1SON
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.8.9V
  • Durchschlagspannung min.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX1SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.32
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Low Capacitance ESD Protection Array
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.2.39
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET CSD18502Q5B N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 204 A 3,2 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.204 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.536
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößePDIP
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.1.43
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET CSD19531Q5A N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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