Fairchild Semiconductor

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode
  • CHF.0.011
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Gleichrichterdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • CHF.0.011
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Fairchild Semiconductor Gleichrichterdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.400mA
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • CHF.0.04
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • Durchlassstrom max.400mA
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • CHF.0.011
    Stück (In einer Box à 2000)
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.300mA
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-247
  • CHF.2.48
    Stück (In einer VPE à 2)
Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieUltraFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild Semiconductor PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 18 W, 8-Pin MLP
  • CHF.1.01
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 18 W, 8-Pin MLP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.24 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SeriePowerTrench
  • GehäusegrößeMLP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • CHF.3.05
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor Power Switch IC Integriert 0.95Ω 25 V max. 2 Ausg.
  • CHF.1.83Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor Power Switch IC Integriert 0.95Ω 25 V max. 2 Ausg.
  • Netzschalter-TypIntegriert
  • Einschaltwiderstand0.95Ω
  • Arbeitsspannnung max.25 V
  • Betriebsstrom max.7A
  • Anzahl der Ausgänge2
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • CHF.2.16
    Stück (Auf einer Rolle von 800)
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.46 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung420 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.250 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild IGBT / 75 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • CHF.10.448
    Stück (In einer Stange von 30)
Fairchild IGBT / 75 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
LVDS Transmitter FIN1027MX, Dual-TX LVTTL LVDS 600Mbit/s, SOIC 8-Pin
  • CHF.0.725
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
LVDS Transmitter FIN1027MX, Dual-TX LVTTL LVDS 600Mbit/s, SOIC 8-Pin
  • Anzahl der Treiber2
  • Eingangs-TypLVTTL
  • Ausgangs-TypLVDS
  • Datenrate600Mbit/s
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "LVDS-Schnittstellen-ICs"
Fairchild Semiconductor Dual Bustransceiver Transceiver VCX 8-Bit Non-Inverting, SMD 20-Pin TSSOP
  • CHF.0.326
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Fairchild Semiconductor Dual Bustransceiver Transceiver VCX 8-Bit Non-Inverting, SMD 20-Pin TSSOP
  • LogikfamilieVCX
  • LogikfunktionTransceiver
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Anzahl der Kanäle pro Chip8
  • PolaritätNon-Inverting
Vergleichbare Produkte in "Bus Transceiver"
Fairchild Semiconductor QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-247
  • CHF.2.75
    Stück (In einer VPE à 2)
Fairchild Semiconductor QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.1000 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieQFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • CHF.4.316
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.46 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung420 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.250 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
  • CHF.0.872
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • SerieUltraFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Mosfet Driver FAN7371MX, 1-Kanal 4A Halbbrücke SOP 8-Pin
  • CHF.1.03
    Stück (In einer VPE à 5)
Mosfet Driver FAN7371MX, 1-Kanal 4A Halbbrücke SOP 8-Pin
  • Pinanzahl8
  • GehäusegrößeSOP
  • Anzahl der Ausgänge1
  • Anzahl der Treiber1
  • Brücken-TypHalbbrücke
Vergleichbare Produkte in "Gate-Treiber"
Fairchild Semiconductor Motor Driver IC FAH4830MPX, 0.5A, MLP, 10-Pin, Piezo-haptisch, Vollbrücke
  • CHF.1.838
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor Motor Driver IC FAH4830MPX, 0.5A, MLP, 10-Pin, Piezo-haptisch, Vollbrücke
  • MotortypPiezo-haptisch
  • AusgangskonfigurationVollbrücke
  • IGBT Collectorstrom max.0.5A
  • Kollektor-Emitter-Spannung3 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14.5V 9.5V min., 2-Pin, THT 8.5V max DO-15
  • CHF.0.36
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14.5V 9.5V min., 2-Pin, THT 8.5V max DO-15
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.14.5V
  • Durchschlagspannung min.9.5V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Fairchild Semiconductor QFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 7,8 A 50 W, 3-Pin DPAK
  • CHF.0.683
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor QFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 7,8 A 50 W, 3-Pin DPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • SerieQFET
  • GehäusegrößeDPAK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • CHF.2.846
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
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