onsemi

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.25
    Stück (In einer VPE à 50)
onsemi SMD Diode , 1000V / 1A, 2-Pin DO-214AC (SMA)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AC (SMA)
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1000V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.06
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
onsemi 2N3904BU THT, NPN Transistor 40 V / 200 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.200 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung40 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.242
    Stück (In einer VPE à 10)
onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.170 mA
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SeriePowerTrench
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.02
    Stück (Auf einer Rolle von 10000)
onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOD-123 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-123
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.053
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
onsemi BC33740TA THT, NPN Transistor 45 V / 800 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.800 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung45 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.242
    Stück (In einer VPE à 10)
onsemi BC33740TA THT, NPN Transistor 45 V / 800 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.800 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung45 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.02
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOD-123 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-123
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.032
    Stück (In einer VPE à 100)
onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOD-123 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-123
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.04
    Stück (In einer VPE à 200)
onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOD-123 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-123
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.95
    Stück (In einer VPE à 10)
onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.12 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.032
    Stück (In in einem Beutel mit 5000)
onsemi BC560CG THT, PNP Transistor 45 V / 100 mA 250 MHz, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung45 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.347
    Stück (In einer VPE à 10)
onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.1,6 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • SeriePowerTrench
  • GehäusegrößeSOT-23
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.13
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.1,6 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SeriePowerTrench
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.06
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 mA
  • Drain-Source-Spannung max.50 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.49
    Stück (In einer VPE à 2)
onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 41 W, 8-Pin Leistung 33
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeLeistung 33
  • SeriePowerTrench
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.032
    Stück (Auf einer Rolle von 10000)
onsemi BSS138L N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 mA
  • Drain-Source-Spannung max.50 V
  • SerieBSS138L
  • GehäusegrößeSOT-23
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.04
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT DO-41 2-Pin Siliziumverbindung 1.1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-41
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.06
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
onsemi THT Diode , 600V / 1A, 2-Pin DO-41
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-41
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.095Stück
onsemi THT Diode , 600V / 1A, 2-Pin DO-41
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-41
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.17Stück
onsemi SMD Schottky Diode , 60V / 4A, 2-Pin DO-214AB (SMC)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AB (SMC)
  • Dauer-Durchlassstrom max.4A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch60V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
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